【摘要】主要进行了6 英寸（152.4 mm）高均匀性P 型硅外延片的生产工艺研究。利用 PE-2061S 型桶式外延炉，在重掺硼的硅衬底上化学气相沉积P/P+ 型硅外延层。通过流场调节工艺、基座包硅工艺、变流量解吸工艺、两步生长工艺等关键工艺的改进，对非主动掺杂效应进行了有效抑制，利用FTIR（傅里叶变换红外线光谱分析）、C-V（电容- 电压测试）、SRP（扩展电阻技术）等测试方法对外延层的电学参数以及过渡区形貌进行了测试，得到结晶质量良好、厚度不均匀性<1%、电阻率不均匀性<1.5% 的6 英寸P 型高均匀性硅外延片，各项参数均可以达到器件的使用要求。
【关键词】
《人民长江》 2015-11-19
《党政视野》 2015-11-19
《电子与封装》 2015-11-19
《党政视野》 2015-11-19
《商业文化》 2015-11-19
《现代养生》 2015-11-19
《商业文化》 2015-11-20
《山东医药》 2015-11-20
010-56259535
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