【摘要】随着体硅CMOS工艺尺寸不断减小、集成度不断提高，电路受到单粒子辐射效应的影响会变得越来越严重。在大尺寸工艺条件下常用的DICE结构触发器结构，在受到单粒子效应影响后，会产生一定脉宽的扰动并传输至下一级，对整个电路的可靠性产生影响。为消除上述影响，采用了C单元结构对触发器的输出端口进行优化设计，将原有的一个结点输出结构优化为利用两个互补的存储结点作为C单元结构的输入。利用仿真手段对优化后的结构进行验证，证明了优化后的结构有很好的抗扰动能力，同时通过优化版图设计，提升触发器结构的抗辐射能力。经过此次对触发器的优化设计，为今后超深亚微米抗辐射电路的设计提供了借鉴。
【关键词】
《电子与封装》 2015-11-19
《电子与封装》 2015-11-19
《电子与封装》 2015-11-19
《电子与封装》 2015-11-19
《商业文化》 2015-11-20
《山东医药》 2015-11-20
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010-56259535
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